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zoom RSS ダイオードを使わずにCMOSマルチバイブレータのデューティ比を変える

<<   作成日時 : 2015/11/22 20:14   >>

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NANDを使った回路



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│        そ        │
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動作をざっと説明します。
(ほんとうはグラフを描くのが面倒なので…(^_^;)

c・r < C・R とします。

出力が(H)レベルになるのは、
NANDの出力が(L)のときで、
それは入力が両方とも(H)のときだけです。
よって、その期間は時定数の短い c・r によって決まります。

出力が(L)レベルになるのは、
NANDの出力が(H)のときで、
それは入力がどちらか(L)のときです。
よって、その期間は時定数の長い C・R によって決まります。

(H)のデューティ比はだいたい c・r/(C・R+c・r) になり、
約50%以下の値に設定できることになります。

(H)のデューティを50%以上にするにはどうすればよいか、
考えてみてください。

長所と短所


○ ダイオードでの電圧降下の影響がない
  (H)と(L)の時間からコンデンサや抵抗の値を計算しやすい

△ デューティ比50%をまたいで可変できない
△ 周期が長いとき、大容量のコンデンサが2個必要

2015-11-29改訂


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